💡 По вопросам послегарантийного ремонта и обслуживания Вы можете обращаться в официальные сервисные центры производителей, а также в наш сервис, где высококвалифицированные специалисты всегда с радостью помогут в решении Ваших проблем.
⏰ Мы работаем по следующему графику: - понедельник — пятница: с 9-00 до 19-00; - суббота: с 9-00 до 14-00
🚚 Доставка по Украине производится с помощью курьерских служб Украины. С их списком Вы можете ознакомиться более подробно в разделе "Оплата и доставка".
✅ Гарантия предоставляется на товары в зависимости от сервисной политики производителя. Срок гарантии указан в описании каждого товара на нашем сайте. Подтверждением гарантийных обязательств служит гарантийный талон производителя или гарантийный талон нашего магазина.
Тип памяти DDR4. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-19200. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V
Тип памяти DDR4. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-19200. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V
Тип памяти DDR3. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC3-12800. Частота памяти 1600 MHz. Тайминги CL11. Напряжение 1.5 V
Тип памяти DDR3. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC3-12800. Частота памяти 1600 MHz. Тайминги CL11. Напряжение 1.5 V
Тип памяти DDR4. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-19200. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V. Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM
Тип памяти DDR4. Объем памяти 4 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-19200. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V. Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-21300. Частота памяти 2666 MHz. Тайминги CL16. Напряжение 1.2 V. Форм-фактор памяти 288-pin SO-DIMM
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-21300. Частота памяти 2666 MHz. Тайминги CL16. Напряжение 1.2 V. Форм-фактор памяти 288-pin SO-DIMM
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Частота памяти 2400 MHz. Тайминги CL17. Напряжение 1.2 V
Тип памяти DDR3. Объем памяти 2 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC3-12800. Частота памяти 1600 MHz. Тайминги н.д. Напряжение 1.5 V. Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC. Буферизация unbuffered. Охлаждение нет
Тип памяти DDR3. Объем памяти 2 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC3-12800. Частота памяти 1600 MHz. Тайминги н.д. Напряжение 1.5 V. Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC. Буферизация unbuffered. Охлаждение нет
Назначение для ноутбуков (SO-DIMM), Оперативная память (тип) DDR4 - 2666 МГц, Оперативная память (объем) 4 ГБ, Количество планок в комплекте, шт 1, Количество контактов 260-рin, Рабочее напряжение, В 1,2, Схема таймингов памяти CL17, Штрихкод
Назначение для ноутбуков (SO-DIMM), Оперативная память (тип) DDR4 - 2666 МГц, Оперативная память (объем) 4 ГБ, Количество планок в комплекте, шт 1, Количество контактов 260-рin, Рабочее напряжение, В 1,2, Схема таймингов памяти CL17, Штрихкод
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-21300. Частота памяти 2666 MHz. Тайминги CL19. Напряжение 1.2 V. Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC. Буферизация unbuffered
Тип памяти DDR4. Объем памяти 16 ГБ. Количество модулей в наборе 1. Стандарты памяти PC4-21300. Частота памяти 2666 MHz. Тайминги CL19. Напряжение 1.2 V. Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC. Буферизация unbuffered
Назначение для ноутбуков (SO-DIMM), Оперативная память (тип) DDR4 - 2666 МГц, Оперативная память (объем) 8 ГБ, Количество планок в комплекте, шт 1, Количество контактов 260-рin, Рабочее напряжение, В 1,2, Схема таймингов памяти CL19,
Назначение для ноутбуков (SO-DIMM), Оперативная память (тип) DDR4 - 2666 МГц, Оперативная память (объем) 8 ГБ, Количество планок в комплекте, шт 1, Количество контактов 260-рin, Рабочее напряжение, В 1,2, Схема таймингов памяти CL19,
Модуль SODIMM KF426S15IB/8 оперативной памяти Kingston FURY Impact DDR4 объемом 8 ГБ позволяет повысить производительность системы, чтобы даже в самой горячей битве частота кадров оставалась комфортной. Одноренковый модуль KF426S15IB/8 работоспособен на частотах вплоть до DDR4-2666 при схеме таймингов CL15 и предназначен для расширения объема памяти и повышения производительности ноутбуков и малогабаритных систем, как на платформе Intel, так и AMD. Поддержка технологии PnP (Plug'n'Play) позволяет системе автоматически установить максимально возможную для нее частоту памяти (на большинстве систем будет установлена максимальная доступная в BIOS производителя системы частота, установить значения выше нее PnP не позволяет), а наличие XMP профиля поможет быстро настроить память на системах, не поддерживающих PnP.
Модуль SODIMM KF426S15IB/8 оперативной памяти Kingston FURY Impact DDR4 объемом 8 ГБ позволяет повысить производительность системы, чтобы даже в самой горячей битве частота кадров оставалась комфортной. Одноренковый модуль KF426S15IB/8 работоспособен на частотах вплоть до DDR4-2666 при схеме таймингов CL15 и предназначен для расширения объема памяти и повышения производительности ноутбуков и малогабаритных систем, как на платформе Intel, так и AMD. Поддержка технологии PnP (Plug'n'Play) позволяет системе автоматически установить максимально возможную для нее частоту памяти (на большинстве систем будет установлена максимальная доступная в BIOS производителя системы частота, установить значения выше нее PnP не позволяет), а наличие XMP профиля поможет быстро настроить память на системах, не поддерживающих PnP.
Оперативная память для стандартного рабочего ноутбука новейшего типа. Изготовлена компанией Goodram в форм-факторе SO-DIMM, что означает ее назначение для установки в системы ноутбуков.
Оперативная память для стандартного рабочего ноутбука новейшего типа. Изготовлена компанией Goodram в форм-факторе SO-DIMM, что означает ее назначение для установки в системы ноутбуков.
Назначение Для компьютеров. Разъемы 3.5 мм mini-jack. Тип Динамические. Направленность Всенаправленные. Чувствительность -58 ± 2 дБ. Вес 265. Диапазон частот 100 Гц - 10 кГц. Длина шнура 1.5 м. Питание USB. Размеры 140 x 160 x 120 мм
детские, проводное, Jack 3.5 мм, 32 Ом, 20 - 20000 Гц, без микрофона, длина шнура - 1 м, количество jack(ов) - 1, Blue
«Я есть Грут» - первое, что приходит в голову, говоря о Стражей Галактики. Мстители спасают только Землю, а эта компания спасает Вселенную. Ґрут один из самых любимых героев команды Стражей Галактики, который просто не может оставить кого-то равнодушным. Для того, чтобы маленькие сторонники также могли «зажигать» под любимые песни eKids выпустили тематические детские наушники с маленьким Ґрутом, который изображен на обоих чашах наушников. Наушники удобно сидят, а длина дужки регулируется по желанию. Материалы оголовье и амбушюр очень мягкие. Подсоединить наушники можно к компьютеру, телефона или плеера с помощью кабеля с разъемом 3,5 мм. Длина кабеля - 100 см.
Тип | трансформаторный |
Тип аккумулятора | кислотный |
Напряжение зарядки | 12 В, 6 В |
Индикация заряда | светодиод |
Особенности | защита от короткого замыкания, проверка полярности, встроенный амперметр |
Максимальная емкость аккумулятора | 120 Ачас |
Минимальная емкость аккумулятора | 10 Ачас |
Ток зарядки | 6 А |
Подключение к батарее | крокодилы |
Дополнительные характеристики | потребляемая мощность 85 Вт |
Страна производства | Китай |
Акумуляторна батарея гелева ORBUS CG12100 12V 100Ah GEL
Емкость 100 Ач
Напряжение 12 В
Тип GEL
Производитель ORBUS
Модель CG12100
Назначения для ИБП, универсальные
Размер: 330x171x214 мм
Вес 30 кг
Страна производитель Малайзия
Батарея Lexron 12В 105 Ач GELL (LXR12-105)
Номинальное напряжение 12В
Емкость 105 А·час / 10 часов, 1,75 В / элемент (25°C)
Клетки на единицу 6
Рекомендуемая макс. Ток зарядки 20 А
Макс. Ток разряда 1050 А (5 с)
Размеры (ДxШxВ) 330 x 171 x 219 мм
вес 30,5 кг
ИБП (инвертор) гибридный ORBUS VP3000-24, 3000W, 3 кВт с правильной синусоидой 24V под внешний аккумулятор, ток заряда 0-70A
Тип инвертора: автономный
Количество фаз: 1
Номинальная мощность нагрузки, Вт: 3000
Форма выходного напряжения: Чистая синусоида
Выходное напряжение АКБ, В: 24
Ток заряда: 0-70A,
Режим заряда АКБ: PWM (ШИМ)
Диапазон входного напряжения АС, В: 160-275V
Вес, кг: 7
Источник бесперебойного питания Kemot 1500/24V 1050W ProSinus 1500E (Белый)
Аварийный источник питания Kemot Sinus Pro 1500 E 1050W. Чистая синусоида
Непрерывная мощность: 1000 Вт;
- мгновенная мощность: 1500VA;
- напряжение аккумулятора: 24В;
- выходное напряжение: 230В/50Гц;
- ток зарядки: 15А;
- форма сигнала напряжения: чистый синус (очень высокая стабильность работы);
- обеспечивает бесперебойное питание устройств;
- оснащен двумя розетками 230 В, ЖК-дисплеем и кабелем для подключения аккумулятора.
Тип | Зарядний пристрій |
Клас захисту | IP65 |
Вихідна напруга, В | 6/12 |
Вага, кг | 0,9 кг |
Розмір, см | 18,1 х7, 7х32, 3 |
Місткість акумулятора, а/ч | 3 |
Частота, Гц | 50 |
Колір | Помаранчевий |
Потужність, Вт | 100 |
Швидкий заряд, А | 6 |
Гарантія, міс. | 1 |
Додаткові характеристики | Дисплей LCD |
Габарити в упаковці (ВхШхГ), см | 7x18x32 |
Вага в упаковці, кг | 0,838 |
сокет – 1700, DDR5, макс. объем оперативной памяти – 128 ГБ, макс. частота оперативной памяти – 7200 MHz, скорость LAN – 2,5 Гбит/с, D-Sub (VGA), DisplayPort, HDMI, внутренние – 1 x M.2 22110, 2 x M.2 2280, 4 x Sata 6.0 Gb/s, ATX
Наш менеджер свяжется с Вами в течение 15 минут.