- Статус заказа
-
Вход в личный кабинетВостановить парольРегистрация
- RU | UA
(044) 205-40-15
(067) 445-15-81
(050) 133-12-20
(093) 997-04-02
Модуль памяти для компьютера DDR3 8GB 1600 MHz AMD (R538G1601U2S-U) - AT025923
Частота памяти 1600 MHz, Объем памяти 8 GB, Тайминги CL11, Тип памяти DDR 3, Количество модулей в наборе 1, Напряжение 1.5V,
Доставка курьером по Киеву 130 грн.
Самовывоз
Доставка по Украине перевозчиками, согласно тарифов
Подробнее о доставке| Производитель | AMD |
| Частота памяти | 1600 MHz |
| Объем памяти | 8 ГБ |
| Тайминги | CL11 |
| Тип памяти | DDR 3 |
| Напряжение | 1.5V |
| Буферизация | unbuffered |
| Стандарты памяти | PC3-12800 |
| Форм-фактор памяти | 240-pin DIMM |
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонен |
Приобрести Модуль памяти для компьютера DDR3 8GB 1600 MHz AMD (R538G1601U2S-U) Вы можете в компании "А-ТЕХНО", оформив заказ на этом сайте через корзину или позвонив по указанным телефонам.
Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, и др. Память обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Как и все модули памяти компании, модули памяти
DDR3 8GB 1600 MHz AMD спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
