Твердотельные накопители (SSD): внутренний - Cтраница №31

Тип накопителя внутренний. Объем памяти 256 GB. Тип флеш-памяти 3D TLC. Форм-фактор M.2. Интерфейс подключения PCI Express 3.0 x4. Скорость чтения 3000 Mb/s. Скорость записи 1000 Mb/s. Наработка на отказ 2 млн.часов. Габариты 80 x 22 x 10.5 мм

Тип накопителя внутренний. Объем памяти 512 GB. Тип флеш-памяти 3D TLC. Форм-фактор PCI-Express. Интерфейс подключения PCI Express 3.0 x4. Скорость чтения 3480 Mb/s. Скорость записи 2100 Mb/s. Энергопотребление 5.9 Вт. Габариты 175.5 х 70.8 х 13 мм

Тип накопителя внутренний. Объем памяти 1.92 TB. Тип флеш-памяти 3D TLC. Форм-фактор 2.5". Интерфейс подключения SATA III (6Gb/s). Скорость чтения 560 Mb/s. Скорость записи 510 Mb/s

120 GB, 3D TLC, M.2, SATA III (6Gb/s), Скорость чтения - 550 Mb/s, Скорость записи - 510 Mb/s, 80 x 22 x 3.5 мм, 7 г

 

Серия - SU750, 256 GB, 3D TLC, 2.5", SATA III (6Gb/s), Скорость чтения - 550 Mb/s, Скорость записи - 520 Mb/s, 100.45 x 69.85 x 7 мм, 48 г

 

SSD накопитель  2000 ГБ  M.2 (PCI-E 4.0)  тип флэш-памяти

внутренний, Radeon R5, SATA 6Gb/s, 530 Mb/s, 450 Mb/s, 1.5 млн.часов, ,

Объём памяти 500 GB, Форм-фактор M.2, Скорость записи, макс. 520Mb/s (SATA 6 Gb/s), Скорость чтения, макс. 550Mb/s (SATA 6 Gb/s), Тип внутренний, Серия 860 EVO,

внутренний, A400, SATA 6Gb/s, 500 Mb/s, 320 Mb/s, 1м. ч., 100 x 69.9 x 7 мм, 41 г, ,

Серия - SN850, 500 GB, 3D NAND, M.2, PCI-E 4.0 (x4), Скорость чтения, макс. - 7000 Mb/s, Скорость записи, макс. - 4100 Mb/s, 80 х 22 х 2.38 мм, черный

Серия - 980 PRO, 2 TB, V-NAND 3bit MLC, M.2, PCI-E 4.0 (x4), Скорость чтения, макс. - 7000 Mb/s, Скорость записи, макс. - 5000 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 9 г

Объём памяти 512 GB, Форм-фактор M.2, Скорость записи, макс. 3000Mb/s, Интерфейс PCI-E 3.0 (x4), Тип внутренний, Скорость чтения, макс. 3500 Mb/s,

500 GB, 3D TLC NAND, M.2, PCI-E 4.0 (x4), Скорость чтения, макс. - 5000 Mb/s, Скорость записи, макс. - 2500 Mb/s, 80.5 x 23.5 x 11.4 мм,

Серия - 980 PRO, 1 TB, V-NAND 3bit MLC, M.2, PCI-E 4.0 (x4), Скорость чтения, макс. - 7000 Mb/s, Скорость записи, макс. - 5000 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 9 г

внутренний, PX500, PCI-E 3.0 (x4), 1850 Mb/s, 950 Mb/s, 1.5 млн.часов, 80 x 22 x 3.5 мм, ,

Серия - 870 EVO, 500 GB, V-NAND 3bit MLC, 2.5", SATA 6Gb/s, Скорость чтения, макс. - 560 Mb/s, Скорость записи, макс. - 530 Mb/s, 100 x 69.85 x 6.8 мм, 45 г, черный,

Объём памяти 120 GB, Форм-фактор 2.5", Скорость записи, макс. 280Mb/s, Тип внутренний, Скорость чтения, макс. 350Mb/s, Наработка на отказ 2 млн.часов,

Объём памяти 480 GB, Форм-фактор 2.5", Скорость записи, макс. 480Mb/s, Тип внутренний, Скорость чтения, макс. 550Mb/s, Наработка на отказ 2 млн.часов,

Твердотельный накопитель Transcend MTE110S/112S оснащен интерфейсом PCI Express Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe и демонстрирует отличную производительность. Твердотельный накопитель MTE110S/112S предназначен для оснащения высокопроизводительных систем, используемых для задач, требующих максимального уровня готовности и не допускающих малейших задержек рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений. Построенные на базе флэш-памяти 3D NAND, твердотельные накопители MTE110S/112S не только обеспечивают высокую скорость передачи данных, но и демонстрируют высокий уровень надежности.